Impacts to ASML and TSMC if China made DUV machine is ready to ship？

The Information 於7月27日獨家報導，一家總部位於上海的中國國企（整合了上海宇量昇科技 Shanghai Yuliangsheng Technology 等團隊）已開始量產 ArF 193nm Immersion 浸潤式 DUV 曝光機/光刻機」，旨在降低對荷蘭及日本光刻機技術的依賴。公司預計今年生產約 5 台，2027 年達到約 20 台。設備預計交付給中芯國際（SMIC）、華虹半導體以及記憶體大廠長鑫儲存（ChangXin Memory Technologies, CXMT）。該設備主要採用本土零組件（少數關鍵零件來自日本），但本土供應商的交貨延遲已影響到今年的生產進度。

波長： 193nm（透過水折射達到等效更短波長）。

半導體製程節點：

單次曝光（Single Exposure）： 主力用於 45nm、32nm、28nm 等成熟製程。

多重曝光（Multiple Patterning）： 透過多次對準曝光與刻蝕，被推進至 16nm / 14nm / 12nm / 10nm，甚至極限推進至 7nm / 5nm（但成本與良率代價極高）。

存儲記憶體： 廣泛用於主流 DRAM DDR4/DDR5（美光一直使用ArF 193 Immersion DUV 到 1-gamma DRAM, SK Hynix up to 1-alpha DRAM, 三星 up to 1-alpha DRAM) 與 3D NAND 的製造。

平均單價：9,700萬美元/一台，是一台Low-NA EUV 單價的1/3。

Throughput/ Wafers per hour or per day:

針對這篇報導所提「中國大陸國產浸潤式 DUV 曝光機/光刻機啟動小批量生產與交付」的進展，對 ASML、Nikon、Canon 及整體晶圓代工，存儲記憶體產業的影響為何？

短期衝擊小： 中國自研 DUV 初期的產能（今年約 5 台，2027 年約 20 台）與 ASML 2026年出貨 130 台，2027年預計出貨169台，2028年220台相比仍有差距，尤其量產時程是否會因良率不穩定而延遲，還有就是設備的日產出產能可能與ASML 機台差異大，尤其是跟ASML 高階機台相比。然而，中國大陸客戶買不到ASML 高階浸潤式 DUV，加速換用大陸國產機，將影響 ASML 高利潤的安裝基底服務（Installed Base Management）營收。

長期市場侵蝕： ASML 目前壟斷全球近 99% 的浸沒式 DUV 市場。一旦中國設備在良率與穩定度上通過中芯（SMIC）等晶圓廠的驗證，ASML 在中國這個佔其營收約 14% （2Q26 營收佔比）的第三大市場，將面臨成熟製程設備市占率被永久「國產替代」的風險。