Power Integrations插旗2200V GaN 單挑SiC高壓應用地盤

高壓能效電源轉換整合晶片廠商Power Integrations宣布，其PowiGaN氮化鎵(GaN)技術的額定電壓已提升至2200V，大幅超越目前所有商用GaN技術的電壓等級。這項突破使PowiGaN成為高壓AI資料中心、電動車、再生能源及高壓直流輸電(HVDC)基礎設施等新一代高壓電力系統的領先技術方案，可支援更高電壓的匯流排架構，進一步提升系統功率密度。