東北大など、次世代スピントロニクス材料を安価な元素から創出 MRAM実用化促進へ前進

ありふれた元素を用いた次世代スピントロニクスへの応用が期待される「ハーフメタル補償型フェリ磁性体」の創出に向け、鉄・クロム硫化物の製造プロセスの最適化に挑んだ成果を、東北大学など6者が共同発表。MRAMなどの実用化促進へ前進。